界面涂层对特高压GIS盆式绝缘子导体-绝缘盆体界面处电场调控

作     者：王闯 赵朗 孙青 王德意 卜越 彭宗仁 WANG Chuang;ZHAO Lang;SUN Qing;WANG Deyi;BU Yue;PENG Zongren

作者机构：西安理工大学电气工程学院西安710048 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 

基　　金：国家自然科学基金(51707155) 陕西省自然科学基础研究计划(2018JQ5039) 

出 版 物：《高电压技术》 (High Voltage Engineering)

年 卷 期：2020年第46卷第3期

页      码：799-806页

摘      要：为了解决在特高压盆式绝缘子运行过程中,因中心导体与盆体绝缘材料性能差异引起的界面烧蚀破坏现象,对绝缘材料界面处的场强集中效应进行了研究。首先以特高压交流盆式绝缘子中心导体与盆体绝缘材料之间界面处的场强为研究对象,应用有限元仿真计算分析了特高压盆式绝缘子界面处场强集中的原因,并采用涂覆界面材料的方法对界面处场强集中效应进行抑制。然后建立了含界面涂覆材料的盆式绝缘子模型,并推导出界面层两侧的场强与界面涂覆材料相关参数的关系式,进而得到不同的界面涂覆材料的界面层两侧的场强分布规律。研究结果表明:界面层厚度与缺陷高度相当,且相对介电常数>100时,界面层可以较好地屏蔽导体表面的缺陷;验证了模型的有效性。研究可为界面涂覆材料的设计和选择提供理论依据。

主 题 词：特高压 GIS盆式绝缘子 电场强度 缺陷屏蔽 界面涂覆材料 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.13336/j.1003-6520.hve.20200331006

馆 藏 号：203889092...