PDP选址驱动芯片的HV-COMS器件设计

作     者：陆生礼 孙伟锋 易扬波 谭悦 吴建辉 时龙兴 

作者机构：东南大学国家ASIC系统工程中心南京210096 

出 版 物：《固体电子学研究与进展》 (Research & Progress of SSE)

年 卷 期：2002年第22卷第1期

页      码：72-77页

摘      要：设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m

主 题 词：等离子平板显示驱动 选择驱动芯片 HV-COMS器件 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 081001[081001] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-3819.2002.01.016

馆 藏 号：203889473...