一种用刷新技术实现SRAM抗SEU错误累积的方法

作     者：陈庆宇 吴龙胜 郝奎 艾刁 CHEN Qing-yu;WU Long-sheng;HAO Kui;AI Diao

作者机构：西安微电子技术研究所陕西西安710054 

出 版 物：《微电子学与计算机》 (Microelectronics & Computer)

年 卷 期：2014年第31卷第7期

页      码：113-117页

摘      要：为了防止空间应用SRAM出现SEU错误累积,提出了一种优化的读→校验→回写刷新机制.该机制实时监测处理器状态,当处理器对外部主存进行读操作时,由存储器控制器自主地(即不需处理器干预)对读操作的存储单元进行刷新操作;当处理器进行访问外部主存以外的其他操作时,由存储器控制器自主的对所有的存储单元进行遍历式刷新操作,该机制可以避免长时间未被读的存储单元发生SEU错误的累积,保证SRAM单元中发生错误的比特位数小于校验码的纠检错能力.最后,通过向SRAM随机注错的方法对本机制的存储器控制器进行验证,结果表明存储器控制器满足设计要求.

主 题 词：空间应用 SRAM 存储器控制器 刷新 单粒子翻转 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2014.07.026

馆 藏 号：203890651...