GaN HEMT预充电式驱动电路设计

作     者：高圣伟 段尧文 刘晓明 李龙女 董晨名 GAO Sheng-wei;DUAN Yao-wen;LIU Xiao-ming;LI Long-nv;DONG Chen-ming

作者机构：天津工业大学天津市电工电能新技术重点实验室天津300387 天津工业大学机械工程学院博士后流动站天津300387 天津金沃能源科技股份有限公司天津300387 

基　　金：国家自然科学基金重点资助项目(51337001) 国家自然科学基金资助项目(51777136) 新能源电力系统国家重点实验室联合基金(LAPS16017) 

出 版 物：《天津工业大学学报》 (Journal of Tiangong University)

年 卷 期：2020年第39卷第1期

页      码：69-76页

摘      要：由于传统驱动电路难以发挥新型器件GaN HEMT的高频优势,为了提高电路工作频率,充分利用GaN HEMT特性,设计了一种适用于该器件的驱动电路。经过对比分析GaN HEMT器件和Si MOSFET器件的寄生参数和工作特性,得出GaN HEMT的特点和对驱动电路的要求;采用LTspice软件仿真,描述该驱动电路低损耗和快速性特征,实现高/低电平箝位功能;通过搭建Boost电路,实验验证预充电式驱动电路的有效性。结果表明:在频率500 kHz、输出电压75 V的工作条件下,该驱动电路与谐振式驱动电路相比损耗下降45.8%,可实现GaN HEMT器件在9 ns内开通、15 ns内关断,比独立拉灌式驱动条件下的开关速度分别提高11 ns和24 ns,更能发挥GaN HEMT高频特性,同时该电路还具有高/低电平箝位功能,提高了电路工作可靠性。

主 题 词：GaN HEMT 驱动电路 预充电 箝位 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1671-024x.2020.01.012

馆 藏 号：203890689...