基于以顶层ITO为像素电极设计的产品工艺优化

作     者：吕艳明 操彬彬 栗芳芳 安晖 叶成枝 李法杰 杨增乾 彭俊林 冯耀耀 刘增利 陆相晚 李恒滨 LYU Yan-ming;CAO Bin-bin;LI Fang-fang;AN Hui;YE Cheng-zhi;LI Fa-jie;Yang Zeng-qian;PENG Jun-lin;FENG Yao-yao;Liu Zeng-li;LU Xiang-wan;LI Heng-bin

作者机构：合肥鑫晟光电科技有限公司 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2020年第35卷第3期

页      码：219-226页

摘      要：HADS产品通常使用有机膜材料来减小寄生电容,以实现高像素密度(PPI)显示。本文对如何改善以顶层ITO为像素电极(Pixel Top)设计的有机膜产品的公共电极ITO与数据线间短路(DCS)不良进行了工艺优化研究。首先,通过显微镜、聚焦离子束对HADS有机膜产品DCS不良发生机理进行了分析,进而提出了第一钝化绝缘层刻蚀工序省略、保留第一钝化绝缘层至公共电极与像素电极间第二钝化绝缘层刻蚀时进行“一步刻蚀”的工艺流程变更改善方案。针对新工艺流程验证中TFT栅极过孔处第一钝化绝缘层出现的底切不良,通过调整等离子增强化学气相沉积成膜参数改善第一钝化绝缘层膜质,并选取最优成膜条件进一步调整干法刻蚀参数改善刻蚀形貌,获得了优良的栅极过孔刻蚀坡度角。优化后的“一步刻蚀”工艺进行的TFT基板,其栅极过孔第一钝化绝缘层坡度角小于40°,与栅极绝缘层间无明显刻蚀台阶。量产验证有机膜缺失导致的DCS发生率降为0。通过优化工艺,在降低产品不良率的同时还减少了工艺步骤,提升了产能。

主 题 词：高开口率高级超维场转换技术 有机膜 等离子增强化学气相沉积 干法刻蚀 

学科分类：0810[工学-土木类] 0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/YJYXS20203503.0219

馆 藏 号：203892100...