基于ANSYS的功率VDMOS器件的热分析及优化设计

作     者：华庆 殷景华 焦国芹 刘晓为 HUA Qing;YIN Jing-hua;JIAO Guo-qin;LIU Xiao-wei

作者机构：哈尔滨理工大学应用科学学院哈尔滨150080 哈尔滨工业大学航天学院哈尔滨150001 

基　　金：教育部春晖计划基金项目资助(Z2005-2-15001) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2009年第32卷第2期

页      码：354-356页

摘      要：针对TO-220AB封装形式的功率VDMOS器件,运用有限元法建立器件的三维模型,对功率耗散条件下器件的温度场进行热学模拟和分析,研究了基板厚度、粘结层材料及粘结层厚度对器件温度分布的影响。分析结果表明,由芯片至基板的热通路是器件的主要散热途径,基板最佳厚度介于1~1.2 mm之间,且粘结层的导热系数越大、厚度越薄,越有利于器件的散热。

主 题 词：VDMOS 有限元 热分析 ANSYS 优化设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2009.02.030

馆 藏 号：203894285...