多层圆片级堆叠THz硅微波导结构的制作

作     者：杨志 董春晖 柏航 姚仕森 程钰间 Yang Zhi;Dong Chunhui;Bai Hang;Yao Shisen;Cheng Yujian

作者机构：专用集成电路重点实验室石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 电子科技大学电子科学与工程学院成都611731 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2020年第57卷第4期

页      码：328-332页

摘      要：基于微电子机械系统(MEMS)工艺,提出一种多层圆片堆叠的THz硅微波导结构及其制作方法。为了验证该结构在制作THz无源器件中的优势,基于6层圆片堆叠的硅微波导结构,设计了一种中心频率365 GHz、带宽80 GHz的功率分配/合成结构,并对其进行了仿真。研究了制作该结构的工艺流程,攻克了工艺过程中的关键技术,包括硅深槽刻蚀技术和多层热压键合技术,并给出了工艺结果。最终实现了多层圆片堆叠功率分配/合成结构的工艺制作和测试。测试结果表明,尽管样品的插入损耗较仿真值增加3 dB左右,考虑到加工误差和夹具损耗等情况,样品主要技术指标与设计值较为一致。

主 题 词：微电子机械系统(MEMS) 太赫兹(THz) 波导 硅深槽刻蚀 热压键合 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2020.04.012

馆 藏 号：203898109...