低压Mosfet平台电压时间对图腾柱驱动电路拓扑影响对策研究

作     者：钱亮 

作者机构：广安职业技术学院广安638000 

出 版 物：《内燃机与配件》 (Internal Combustion Engine & Parts)

年 卷 期：2020年第6期

页      码：73-74页

摘      要：Mosfet平台电压时间是Mos管处于放大区的典型标志,Mos管不能很快进入开关状态,从而严重增加Mos管的开关损耗,导致Mos管发热量极大。针对上述问题,综合考虑图腾柱驱动电路的栅极电阻参数不同对Mosfet平台电压时间测量和Mos管关断期间浪涌电流di/dt对电容Cgs的影响,在保证系统稳定的前提下找出降低Mos管发热量的最佳平台时间。基于RLC串联谐振电路模型,适当增加Mos管栅极电阻来减少电容Cgs电压振荡,确保Mos管正常导通和关闭。设计并制作了电动车轮毂电机的低压Mosfet驱动电路实验样机,并做了相关的测试。实验结果表明:合适的平台电压时间降低了图腾柱驱动电路拓扑低压Mos管的发热损耗,开关管关断时候的di/dt明显降低,电路的整体效率得到提高。

主 题 词：Mosfet平台电压时间 图腾柱驱动电路 RLC串联谐振电路 Mos管栅极电阻 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

D　O　I：10.19475/j.cnki.issn1674-957x.2020.06.034

馆 藏 号：203898158...