实用于电路模拟的微米级MOSFET开启电压解析模型的研究

作     者：刘军 徐葭生 

作者机构：清华大学微电子学研究所 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1989年第10卷第5期

页      码：323-333页

摘      要：本文在分析了SPICE II-MOS2,MOS3模型中所存在的问题之后,重新建立了一个实用于电路模拟的微米级MOSFET解析模型──MOS5模型(本文仅限于介绍其开启电压模型部分).经实验证明,此模型适用于对不同工艺制得的各种尺寸增强型MOS管的开启电压模拟(L_(eff)≥1.0μm).与原SPICEII-MOS2,MOS3模型相比,此新模型具有参数简单易得、物理意义明确、以工艺参数为主等特点.此模型现已装入SPICE II程序中,达到了实用的目的,并可对VLSI设计与制造起一定的指导作用.

主 题 词：开启电压 电路模拟 MOSFET 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203901098...