3D NAND闪存数据保持力与初始状态依赖性研究

作     者：张明明 王颀 井冲 霍宗亮 ZHANG Ming-ming;WANG Qi;JING Chong;HUO Zong-liang

作者机构：中国科学院大学微电子学院北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 长江存储科技有限公司湖北武汉201203 

基　　金：国家科技重大专项(No.2017ZX02301002) 

出 版 物：《电子学报》 (Acta Electronica Sinica)

年 卷 期：2020年第48卷第2期

页      码：314-320页

摘      要：数据保持力是NAND闪存重要的可靠性指标,本文基于用户在使用模式下,通过设计测试方法,研究了电荷捕获型3D NAND闪存初始阈值电压-2V至3V的范围内数据保持力特性.结果表明初始状态为编程态时,可以有效降低NAND闪存高温数据保留后的误码率,特别是随着擦写次数的增加,不同初始状态下电荷捕获型3D NAND闪存数据保持力差异更加明显,结论表明闪存最适宜存放的状态为0-1V,电荷捕获型3D NAND闪存器件应避免长期处于深擦除状态.并基于不同初始状态闪存高温数据保留后的数据保持力特性不同的现象进行了建模和演示,通过设计实验验证,机理解释模型符合实验结果.该研究可为电荷捕获型3D NAND闪存器件的长期存放状态提供理论参考.

主 题 词：数据保持力 初始状态 误码率 机理模型 3D NAND 

学科分类：0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.0372-2112.2020.02.014

馆 藏 号：203901167...