370-390MHz SiGe BiCMOS功率放大器设计

作     者：熊秀春 李智群 李亮 李文渊 王志功 XIONG Xiu-chun;LI Zhi-qun;LI Liang;LI Wen-yuan;WANG Zhi-gong

作者机构：东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 

基　　金：东南大学射频与光电集成电路研究所与深圳协同公司联合支持项目 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2007年第37卷第6期

页      码：811-814页

摘      要：给出了应用于"Witone数字集群移动通信系统"的移动用户台发射部分的功率放大器的设计。该功率放大器基于AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,采用单端两级放大结构,工作于AB类。测试结果显示,设计的功率放大器的功率增益为22.9 dB,输入1 dB压缩点功率为-10.1dBm,对应的输出功率为11.8 dBm,饱和输出功率25.5 dBm,最大功率附加效率18.6%。

主 题 词：SiGe BiCMOS 射频功率放大器 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2007.06.010

馆 藏 号：203901800...