BST薄膜高介电调谐率和低介电损耗的设计

作     者：蔡玉平 冯蒙丽 韩代朝 CAI Yuping;FENG Mengli;HAN Daizhao

作者机构：军械工程学院基础部河北石家庄050003 

基　　金：军械工程学院科学研究基金资助项目 

出 版 物：《兵器材料科学与工程》 (Ordnance Material Science and Engineering)

年 卷 期：2010年第33卷第4期

页      码：53-55页

摘      要：钛酸锶钡(BST)薄膜显著的介电非线性效应归因于Ti4+偏离氧八面体中心的位移。从BST薄膜的相变行为出发,讨论影响介电性的3种因素,即组分、电极材料和薄膜厚度,以期保持BST薄膜高介电调谐率的同时,获得低介电损耗,为最大限度地提高BST微波移相器的性能提供可能。

主 题 词：铁电薄膜 介电非线性 微波移相器 

学科分类：080701[080701] 08[工学] 0807[工学-电子信息类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-244X.2010.04.015

馆 藏 号：203902869...