看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >0.1~4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块 收藏
0.1~4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块

0.1~4GHz达林顿-共射共基结构的增益模块

作     者:丁华锋 严维敏 王钟 胡善文 高怀 DING Hua-feng;YAN Wei-min;WANG Zhong;HU Shan-wen;GAO Huai

作者机构:东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心江苏苏州215123 苏州大学应用技术学院机电工程系江苏苏州215325 南京大学电子科学与工程系声学研究所南京210093 东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心南京210096 

出 版 物:《电讯技术》 (Telecommunication Engineering)

年 卷 期:2010年第50卷第11期

页      码:80-84页

摘      要:提出了一种新型电路拓扑结构的增益模块,该增益模块为达林顿-共射共基结构,对其工作原理进行了分析。基于AWR Microwave Office软件的仿真结果表明:达林顿晶体管共射放大电路具有较强的电流放大能力,能有效提高增益;共基放大电路能抑制电路密勒效应,改善电路高频响应。设计了增益模块的版图,用2μm InGaP/GaAs HBT工艺成功流片,测试结果表明:在0.14 GHz频率范围内,该增益模块最大增益为25 dB,最小增益大于13.5 dB,在900 MHz工作频率时,该增益模块的P1dB为20 dBm。

主 题 词:发射机 达林顿结构 共射共基 负反馈 放大器 增益模块 

学科分类:080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D O I:10.3969/j.issn.1001-893x.2010.11.017

馆 藏 号:203902994...

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分