栅增强功率ACCUFET的模拟研究

作     者：尹儒 王颖 胡海帆 Yin Ru;Wang Ying;Hu Haifan

作者机构：哈尔滨工程大学哈尔滨150001 

基　　金：国家自然科学基金(60906048) 黑龙江省自然科学基金(QC2009C66) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2011年第36卷第1期

页      码：4-7页

摘      要：为了进一步降低器件的导通电阻,提出了一种新型的ACCUFET结构——栅增强功率ACCUFET(GE-ACCUFET)。这种器件同时具有普通ACCUFET和GE-UMOS的优点,而且导通电阻比这两种器件都要低。设计了一个击穿电压约106 V,导通电阻为2.18×10-4Ω.cm2的栅增强型功率ACCUFET器件(GE-ACCUFET)。将这种新型器件与GE-UMOS、普通ACCUFET进行对比,并进一步研究器件的结构参数对器件性能的影响。通过ATLAS仿真软件的建模仿真得到的数据显示,新型器件的导通电阻与GE-UMOS、普通ACCUFET相比,均有大幅度的降低。仿真还得到了器件导通电阻和击穿电压与结构参数H,D,α的函数关系,这对器件的生产制造有一定的指导作用。

主 题 词：击穿电压 栅增强 功率ACCUFET 结构参数 特征导通电阻 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353x.2011.01.002

馆 藏 号：203903038...