小偏压下阱中阱结构的量子隧穿特性及其实现

作     者：安盼龙 赵瑞娟 AN Pan-long;ZHAO Rui-juan

作者机构：中北大学电子测试技术国家重点实验室山西太原030051 中北大学理学院山西太原030051 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室山西太原030051 

基　　金：中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室资助(20102011) 中北大学校青年基金 

出 版 物：《量子电子学报》 (Chinese Journal of Quantum Electronics)

年 卷 期：2011年第28卷第5期

页      码：629-634页

摘      要：共振隧穿是电子的隧穿概率在某一个能量值附近以尖锐的峰值形式出现的隧穿,是目前为止最有希望应用到实际电路和系统的量子器件之一,其特点是器件的响应速度非常快。用传递矩阵的方法分别计算了在外加偏压下,对称双势垒、三势垒应变量子阱结构的透射系数与入射电子能量和隧穿电流与偏置电压的关系,模拟了应变多量子阱结构的隧穿系数和I-V特性曲线。计算得到隧穿电流峰值位置与实验测试值符合得很好,对于设计共振隧穿二极管并为进一步实验提供理论指导具有重要的意义。

主 题 词：光电子学 量子阱 共振隧穿 透射系数 隧穿电流 

学科分类：080903[080903] 07[理学] 0809[工学-计算机类] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-5461. 2011.05.019

馆 藏 号：203903335...