碲镉汞e-APD焦平面数字化读出电路设计

作     者：陈国强 张君玲 王攀 周杰 高磊 丁瑞军 Chen Guoqiang;Zhang Junling;Wang Pan;Zhou Jie;Gao Lei;Ding Ruijun

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室上海200083 中国科学院大学北京100049 

出 版 物：《红外与激光工程》 (Infrared and Laser Engineering)

年 卷 期：2014年第43卷第9期

页      码：2798-2804页

摘      要：HgCdTe e-APD工作于线性模式,通过内雪崩倍增效应将一个微弱的信号放大多个数量级。介绍了一个具有列共用ADC制冷型(77K)数字化混成式HgCdTe e-APD FPA读出电路,可以应用于门控3D-LARDAR成像,有主被动双模式成像功能。Sigma-delta转换器比较适合于中规模128×128焦平面列共用ADC。调制器采用2-1 MASH单比特结构,开关电容电路实现,数字抽取滤波器采用CIC级联梳状滤波器。采用GLOBALFOUNDRIES 0.35μm CMOS工艺,中心距100μm。设计了量化噪声抵消逻辑消除第一级调制器量化噪声,采用数字电路实现。CIC抽取滤波器的每一级寄存器长度以方差为指标截尾,以降低硬件消耗。并且数字抽取滤波器工作电压降低到1.5V,可以进一步降低功耗。仿真显示sigma-delta转换器精度大于13bit,功耗小于2.4mW,转换速率7.7k Samples/s。

主 题 词：碲镉汞e—APD 读出电路 主被动双模式成像 sigma-delta ADC 制冷型红外焦平面 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-2276.2014.09.003

馆 藏 号：203904956...