一种超低功耗基准电压源设计

作     者：闫苗苗 焦立男 柳有权 YAN Miaomiao;JIAO Linan;LIU Youquan

作者机构：长安大学信息工程学院西安710064 

基　　金：中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(310824173401) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2020年第50卷第2期

页      码：171-175,183页

摘      要：设计了一种用于超低功耗线性稳压器电路的基准电压源,研究了NMOSFET阈值电压的温度特性。采用耗尽/增强型电压基准结构,显著降低了功耗。采用共源共栅型结构,提高了电源抑制比。设计了数模混合集成熔丝修调网络,优化了输出电压精度和温漂。电路基于0.35μm CMOS工艺实现。仿真结果表明,在2.2~5.5 V输入电压下,基准电压为814 mV,精度可达±1%。在-40℃~125℃范围内,温漂系数为2.52×10-5/℃。低频下,电源抑制比为-99.17 dB,静态电流低至27.4 nA。

主 题 词：基准电压源 超低功耗 线性稳压器 电源抑制比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.190304

馆 藏 号：203906994...