高k介质SOI LDMOS RTS噪声测试新方法

作     者：侯爱霞 HOU Aixia

作者机构：重庆科创职业学院人工智能学院重庆402160 

基　　金：国家自然科学基金项目(51275541) 

出 版 物：《电子器件》 (Chinese Journal of Electron Devices)

年 卷 期：2020年第43卷第1期

页      码：234-238页

摘      要：提出了一种基于智能温控的RTS噪声测试与分析新方法。该方法利用高k栅介质SOI LDMOS边界陷阱特性,首先建立了含有俘获时间常数、发射时间常数以及噪声幅度等参数的RTS噪声模型;然后设计了RTS噪声智能温控测试系统;最后对实测RTS噪声数据进行频谱变换,得到噪声功率谱密度并作分析。实验表明,该测试系统可以有效地获取高k栅介质SOI LDMOS的RTS噪声,具有良好的动态特性,且其本底噪声抑制率较高,较待测信号低两个数量级左右。

主 题 词：RTS噪声 SOI LDMOS 噪声模型 氧化层陷阱 自动温控 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1005-9490.2020.01.048

馆 藏 号：203907607...