一种基于MEMS工艺的365 GHz硅微波导垂直转接结构

作     者：杨志 董春晖 柏航 姚仕森 程钰间 Yang Zhi;Dong Chunhui;Bai Hang;Yao Shisen;Cheng Yujian

作者机构：专用集成电路重点实验室石家庄050051 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 电子科技大学电子科学与工程学院成都611731 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2020年第57卷第5期

页      码：391-394,403页

摘      要：基于微电子机械系统(MEMS)工艺设计并制作了一种THz垂直转接结构,该结构采用6层硅片堆叠的硅微波导形式。理论分析计算了垂直转接结构的参数,并使用三维电磁场分析软件HFSS对该结构进行了模拟仿真。设计得到了中心频率为365 GHz、带宽为80 GHz、芯片尺寸为10 mm×7 mm×2.7 mm的THz垂直转接结构。给出了一套基于MEMS工艺的硅微波导的制作流程,制作了365 GHz垂直转接结构并对其进行测试。获得的THz垂直转接结构的回波损耗随频率变化的测试结果与仿真结果基本一致。采用MEMS工艺制作的硅微波导垂直转接结构具有精度高、一致性好、成本低的特点,满足THz器件的发展需求。

主 题 词：微电子机械系统(MEMS) 太赫兹(THz) 硅微波导 垂直转接结构 硅 

学科分类：08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 081102[081102] 0811[工学-水利类] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2020.05.009

馆 藏 号：203908575...