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基于聚吡咯/氧化石墨烯电极的MEMS微电容的性能研究

基于聚吡咯/氧化石墨烯电极的MEMS微电容的性能研究

作     者:朱平 霍晓涛 韩高义 熊继军 ZHU Ping;HUO Xiao-tao;HAN Gao-yi;XIONG Ji-jun

作者机构:中北大学电子测试技术国防科技重点实验室山西太原030051 山西大学分子科学研究所山西太原030006 

基  金:山西省自然科学基金资助项目(2012011010-2) 

出 版 物:《功能材料》 (Journal of Functional Materials)

年 卷 期:2013年第44卷第19期

页      码:2768-2772页

摘      要:MEMS微电容具有高比容量、高储能密度和抗高过载等特点,在微电源系统、引信系统以及物联网等技术领域具有广泛的应用前景。设计制作了一种三维结构的聚吡咯/氧化石墨烯电极的MEMS微电容。该微电容由三维结构集流体、功能薄膜、凝胶电解质和BCB封装构成,其三维结构集流体是基于RIE刻蚀等微加工工艺加工实现的,而功能薄膜是通过电化学沉积工艺在集流体表面沉积聚吡咯/氧化石墨烯制备而成的,具有阻抗低、容量高、循环性能好的优点。电极的结构表征表明,聚吡咯中充分掺杂了氧化石墨烯,功能材料微观结构规整。器件电化学测试结果表明,放电电流为3mA时,MEMS微电容具有30μF的电容值,比容量达到7mF/cm2,在4000次充放电循环后,器件比容量仍保持在90%,电容量无明显衰减,具有稳定的电容性能和良好的循环性能。

主 题 词:MEMS 微电容 聚吡咯 氧化石墨烯 循环性能 

学科分类:081704[081704] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.19.006

馆 藏 号:203909913...

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