一种低相噪X波段振荡器设计

作     者：张朋奇 

作者机构：中国空空导弹研究院 

出 版 物：《电子世界》 (Electronics World)

年 卷 期：2020年第8期

页      码：132-133,136页

摘      要：SiGe HBT晶体管具有优异的高频噪声特性,根据负阻振荡理论并且采用单电源供电方式设计了一款X波段振荡器。利用微波有源器件的小信号S参数模型进行仿真设计。测试表明,振荡器的中心频率为8.38GHz,输出功率为6dBm,偏离振荡频率100kHz和1MHz处的相位噪声分别为-112dBc/Hz和-126.7dBc/Hz,可以满足实际应用。整体电路结构简单,易于加工制作。

主 题 词：单电源供电 振荡器 相位噪声 有源器件 X波段 整体电路 S参数 低相噪 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.19353/j.cnki.dzsj.2020.08.072

馆 藏 号：203910103...