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N-型喹啉、喹喔啉与噻吩共轭嵌断共低聚物光谱性能的理论研究(英文)

N-型喹啉、喹喔啉与噻吩共轭嵌断共低聚物光谱性能的理论研究(英文)

作     者:易玲 王学业 任翠环 苗媛 金鑫 Yi Ling;Wang Xueye;Ren Cuihuan;Miao Yuan;Jin Xin

作者机构:湘潭大学化学学院环境友好化学与应用省部共建教育部重点实验室湖南湘潭411105 

基  金:Supported by the Scientific Research Fund of Hunan Provincial Education Department(No.09A091) 

出 版 物:《计算机与应用化学》 (Computers and Applied Chemistry)

年 卷 期:2011年第28卷第3期

页      码:261-264页

摘      要:N-型喹啉与噻吩共轭嵌断共低聚物,6,6′-双(5-甲基-噻吩-2-)-4-苯基喹啉(B1TPQ),6,6′双(2-2′-噻吩-5-)-4-苯基喹啉(B2TPQ),6,6′-双(2,2′,5′2″-噻吩-5-)-4-苯基喹啉(B3TPQ),均可用于有机发光二极管(OLEDs)。本文为了揭露n-型共轭嵌断共低聚物的电子和光学性质,设计出了与B1TPQ,B2TPQ,B3TPQ结构相似的一系列新的化合物(BITPQX,B2TPQX和B3TPQX)。用B3LYP密度泛函理论计算了中性分子的HOMO-LUMO能隙(△E),电离势(I_p)和电子亲和势(E_a),对于B1TPQ(B1TPQX),B2TPQ(B2TPQX),和B3TPQ(B3TPQX),聚合物的电子亲和势分别为6.18(6.33),5.95(6.05)和5.69eV(5.76 eV),这说明B3TPQ和B3TPQX的空穴注入和传输是最容易的,由于噻吩嵌段链的长度是最大的。本文还用含时密度泛函理论(TD-DFT)计算了最低激发能(E_g)和吸收光谱,计算得到的最大吸收波长为:403 nm(B1TPQ)<447nm(B2TPQ)<492nm(B3TPQ),419nm(B1TPQX)<471nm(B2TPQX)<523nm(B3TPQX),吸收波长逐渐发生红移。计算结果表明,改变噻吩嵌段链的长度可显著地影响低聚物的光谱性能。

主 题 词:OLEDs 喹啉 喹喔啉 含时密度泛函理论(TD—DFT) 

学科分类:081704[081704] 07[理学] 070304[070304] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1001-4160.2011.03.002

馆 藏 号:203910404...

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