双栅MOSFET高频特性的实验研究

作     者：李元雄 张敏 

作者机构：中国科学院上海冶金研究所微电子学分部 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1990年第11卷第1期

页      码：63-67页

摘      要：设计制作了不同沟道长度、栅材料以及栅电极构形的各种双栅MOSFET。通过实验全面研究了设计和工艺参数对器件高频特性的影响,阐明了双栅MOSFET的高频设计思想,给出了全离子注入高频低噪声工艺。有效沟道长度为1μm的超高频双栅MOSFET在900MHz下功率增益为17dB,有效沟道长度为1.5μm的甚高频器件在200MHz下功率增益为23dB.

主 题 词：双栅 MOSFET 离子注入 高频特性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203916697...