低功耗高增益CMOS LNA的设计

作     者：伊廷荣 成立 王玲 范汉华 植万江 Yi Tingrong;Cheng Li;Wang Ling;Fan Hanhua;Zhi Wanjiang

作者机构：江苏大学电气与信息工程学院江苏镇江212013 

基　　金：国家"863"计划项目(2006AA10Z258) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2008年第33卷第8期

页      码：726-729页

摘      要：设计了一种完全可以单片集成的低功耗高增益CMOS低噪声放大器(LNA)。所有电感都采用片上螺旋电感,并实现了片上50Ω的输入阻抗匹配。文中设计的放大器采用TSMC0.18μmCMOS工艺,用HSPICE模拟软件对其进行了仿真,并进行了流片测试。结果表明,所设计的低噪声放大器结构简单,极限尺寸为0.18μm,当中心频率f0为2.4GHz、电源电压VDD为1.8V时其功率增益S21为16.5dB,但功耗Pd只有2.9mW,噪声系数NF为2.4dB,反向隔离度S12为-58dB。由此验证了所设计的CMOSRF放大器可以在满足低噪声、低功耗、高增益的前提下向100nm级的研发方向发展。

主 题 词：低噪声放大器 CMOS射频电路 低功耗 高增益 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-353X.2008.08.022

馆 藏 号：203917448...