偏置电压对日盲型AlGaN探测器性能的影响

作     者：林言成 肖功海 舒嵘 LIN Yan-cheng;XIAO Gong-hai;SHU Rong

作者机构：中国科学院上海技术物理研究所上海200083 

基　　金：中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目(No.A-6)资助 

出 版 物：《激光与红外》 (Laser & Infrared)

年 卷 期：2010年第40卷第3期

页      码：260-263页

摘      要：偏置电压对AlGaN器件有两方面的影响,一方面偏置电压会对内部两级放大器各MOS管的工作状态产生影响,在应用中应合理地设置使各管工作在恰当状态;另一方面偏置电路上叠加的纹波也是一种噪声源,会耦合到探测器的输出。本文首先是理论推导影响输出的各种因素,再利用spice模型仿真单元运放偏置电压Vbias、参考电压Vref、正电源Vdd、地Vss对读出噪声的贡献,最后结合实际图像,直观地表现偏置电压对图像的影响。从而对探测器读出电路设计者和日盲型AlGaN探测器的应用者提供合理的设计和配置原则。

主 题 词：GaN/AlGaN 偏置电压 日盲 spice仿真 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-5078.2010.03.009

馆 藏 号：203918121...