关键区域分析与存储器冗余

作     者：Simon Favre 

作者机构：Mentor Graphics公司 

出 版 物：《电子设计技术 EDN CHINA》 (EDN CHINA)

年 卷 期：2012年第19卷第6期

页      码：42-45,51页

摘      要：您的设计对随机缺陷的敏感程度如何,布局中哪个区域的修改可为总良品率提供最大的正面效果？无论采用何种工艺的设计团队（无晶圆、轻晶圆或IDM（集成器件制造商））,都应解决降低设计对于制造问题敏感度的目标。一个设计向下游走得越远,就越不太可能解决某个制造问题,除非做昂贵的重新设计。在设计仍进行中就提示解决DFM（可制造性设计）问题,

主 题 词：存储器冗余 良品率 关键区域分析 Mentor Graphics 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1023-7364.2012.06.016

馆 藏 号：203919212...