看过本文的还看了

相关文献

该作者的其他文献

文献详情 >静电放电对SCB起爆装置作用的数值模拟及实验研究 收藏
静电放电对SCB起爆装置作用的数值模拟及实验研究

静电放电对SCB起爆装置作用的数值模拟及实验研究

作     者:陈飞 周彬 秦志春 沈瑞琪 CHEN Fei;ZHOU Bin;QIN Zhi-Chun;SHEN Rui-qi

作者机构:南京理工大学化工学院江苏南京210094 

基  金:国防'973'项目(613129) 

出 版 物:《南京理工大学学报》 (Journal of Nanjing University of Science and Technology)

年 卷 期:2012年第36卷第5期

页      码:824-829页

摘      要:为了研究静电放电对半导体桥(SCB)起爆装置的作用机理,根据静电作用的特点,对SCB起爆装置进行静电放电实验,建立了电容放电的电-热分析模型,利用有限元分析软件AN-SYS对静电作用过程的温度场进行模拟仿真。扫描电镜观测和X射线能谱分析可知,半导体桥的尖角处电流密度最大,温度最高;静电通过焦耳热效应作用于SCB起爆装置,使得桥的尖角区域最先汽化损伤。研究结果可为SCB起爆装置的抗静电危害设计提供参考。

主 题 词:起爆装置 半导体桥 静电放电 电流密度 焦耳热 扫描电镜 X射线能谱分析 

学科分类:0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 082603[082603] 0826[工学-生物医学工程类] 0805[工学-能源动力学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1005-9830.2012.05.017

馆 藏 号:203919398...

读者评论 与其他读者分享你的观点

用户名:未登录
我的评分