紧凑结构的宽带毫米波单片IQ混频器的设计①

作     者：李芹 徐雷钧 李伟 Li Qin;Xu Leijun;Li Wei

作者机构：东南大学射频和光电集成电路研究所南京210096 

基　　金：973计划(2010CB327404)和国家自然科学基金(60901012)资助项目 

出 版 物：《高技术通讯》 (Chinese High Technology Letters)

年 卷 期：2012年第22卷第12期

页      码：1299-1303页

摘      要：采用0．15μm砷化镓赝晶高迁移率场效应管工艺设计了一种结构紧凑的26—40GHz的毫米波无源单片电路IQ混频器。该混频器采用环形二极管和新颖的中频提取电路结构，并把螺旋型Marchand巴伦（平衡一不平衡变换器）用于本振端和射频端，将单端信号转换成差分信号，极大地缩小了芯片的面积，整块芯片面积为1．5mm×1．35mm。芯片在片测试结果表明混频器性能良好，变频损耗在26—40GHz射频频带范围内为-6．5-～13dB，中频带宽为DC～6GHz，镜像抑制度（IMRR）在18～26dB之间，本振到射频的隔离度大于23dB，本振到中频的隔离度大于29dB，射频到中频的隔离度大于26dB。

主 题 词：IQ混频器 耦合器 巴伦 变频损耗 镜像抑制度 单片电路 

学科分类：0810[工学-土木类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 081001[081001] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3772/j.issn.1002-0470.2012.12.013

馆 藏 号：203919465...