三段式门极驱动抑制MOSFET关断过冲振荡的研究

作     者：王孝伟 李铁才 石坚 林琦 WANG Xiao-wei;LI Tie-cai;SHI Jian;LIN Qi

作者机构：哈尔滨工业大学深圳研究生院广东深圳518055 深圳航天科技创新研究院广东深圳518057 哈尔滨工业大学电气工程及自动化学院黑龙江哈尔滨150001 

基　　金："十二五"国防预研资助项目 

出 版 物：《电机与控制学报》 (Electric Machines and Control)

年 卷 期：2013年第17卷第7期

页      码：1-6页

摘      要：针对电机等感性负载电路中,金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconduc-tor field effect transistor,MOSFET)关断瞬间容易产生高幅值的高频电压振荡,不仅增加了系统的电压应力,还为系统带来严重的电磁干扰的问题,对MOSFET的关断行为进行研究,通过分析低侧功率驱动电路中门极电压对MOSFET关断过程的影响,推导出了关断过冲电压随门极电压变化的关系式;基于分析提出了闭环的三段式门极电压控制方法,并设计了电路,电路在漏极电压首次超过母线电压的瞬间,自动生成一段辅助电平信号,并施加至门极,用以抑制电压过冲和振荡。分析及实验结果表明,该电路简单、灵活、动态响应迅速,可以非常有效的抑制高幅值的高频电压振荡。

主 题 词：MOSFET 电磁干扰 电压过冲 电压振荡 米勒效应 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1007-449X.2013.07.001

馆 藏 号：203919701...