全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究

作     者：于理科 郭慧民 任永玲 李国辉 姬成周 

作者机构：北京师范大学教育部射线束与材料改性重点实验室 

基　　金：国家自然科学基金资助项目 (6 0 2 4 4 0 0 4 ) 北京市自然科学基金资助项目 (4 96 2 0 0 4 ) 

出 版 物：《北京师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Beijing Normal University(Natural Science))

年 卷 期：2003年第39卷第3期

页      码：320-324页

摘      要：通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管 (VDCFET)离子注入的最佳条件 ,并研制了性能良好的VDCFET .

主 题 词：NPN型偶载场效应晶体管 离子注入工艺 VDCFET 离子注入射程分布理论 高斯模型 混合模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0476-0301.2003.03.006

馆 藏 号：203921314...