基于InP/ZnS核壳结构量子点的色转换层设计及制作

作     者：王家先 陶金 吕金光 李阳 赵永周 李盼园 秦余欣 张宇 郝振东 王维彪 梁静秋 WANG Jia-xian;TAO Jin;LYU Jin-guang;LI Yang;ZHAO Yong-zhou;LI Pan-yuan;QIN Yu-xin;ZHANG Yu;HAO Zhen-dong;WANG Wei-biao;LIANG Jing-qiu

作者机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室吉林长春130033 中国科学院大学北京100049 吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室吉林长春130012 

基　　金：国家重点研发项目(2018YFB1801900) 广东省科技计划(2016B010111003) 吉林省科技发展计划(20180201024GX,20190302062GX) 应用光学国家重点实验室(SKLAO:201908) 中国科学院青年创新促进会基金(2018254)资助项目 

出 版 物：《发光学报》 (Chinese Journal of Luminescence)

年 卷 期：2020年第41卷第5期

页      码：592-602页

摘      要：提出了采用环境友好型InP/ZnS核壳结构量子点材料制备匹配蓝光Micro-LED阵列的量子点色转换层以实现Micro-LED阵列器件全彩化的技术方案。通过采用倒置式量子点色转换层方案,实现了InP/ZnS量子点材料和Micro-LED阵列的非直接接触,从而可以缓解LED中热量聚集导致的量子点材料发光主波长偏移、半峰宽展宽以及发光效率衰减等问题。量子点色转换层中内嵌PDMS聚合物柔性膜层,可以消除咖啡环效应,同时,色转换层中内嵌飞秒激光图案化处理的500 nm长波通滤光膜层,可以抑制蓝光从非蓝色像素单元出射。最后,实验制备了像素单元中心间距90μm的16×16 InP/ZnS量子点色转换层。该设计可以实现基于蓝光Micro-LED阵列的全彩色Micro-LED显示器件的制备,并且该制备方法可以降低全彩色Micro-LED阵列显示器件的制备成本。

主 题 词：Micro-LED InP/ZnS量子点材料 色转换层 全彩显示器件 

学科分类：0810[工学-土木类] 081203[081203] 08[工学] 0835[0835] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/fgxb20204105.0592

馆 藏 号：203922903...