漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别

作     者：Tae Yeon Oh 

作者机构：泛林集团 

出 版 物：《中国电子商情》 (China Electronic Market)

年 卷 期：2020年第5期

页      码：40-43页

摘      要：从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。

主 题 词：DRAM 寄生电容 漏电流 故障识别 结构异常 动态随机存取存储器 器件设计 考虑因素 

学科分类：08[工学] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.19584/j.cnki.11-3648/f.2020.z2.011

馆 藏 号：203923258...