动态随机存储器的故障溯源

作     者：Tae Yeon Oh 

作者机构：泛林集团 

出 版 物：《软件和集成电路》 (Software and Integrated Circuit)

年 卷 期：2020年第4期

页      码：60-63页

摘      要：多种来源的漏电流和寄生电容会引起DRAM的故障,在DRAM开发期间,工程师需仔细评估这些故障模式,当然也应该考虑工艺变化对漏电流和寄生电容的影响。从20n m技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,D R A M设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为D R A M器件设计中至关重要的一个考虑因素。

主 题 词：动态随机存储器 寄生电容 DRAM 工艺变化 漏电流 动态随机存取存储器 结构异常 器件设计 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.19609/j.cnki.cn10-1339/tn.2020.04.015

馆 藏 号：203923397...