带有复合掺杂层集电区的InP/InGaAs/InP DHBT直流特性分析

作     者：孙浩 齐鸣 徐安怀 艾立鹍 苏树兵 刘新宇 刘训春 钱鹤 Sun Hao;Qi Ming;Xu Anhuai;Ai Likun;Su Shubing;Liu Xinyu;Liu Xunchun;Qian He

作者机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室上海200050 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:2002CB311902)~~ 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2006年第27卷第8期

页      码：1431-1435页

摘      要：设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电流阻挡效应.采用基于热场发射和连续性方程的发射透射模型,计算了n+-InP插入层掺杂浓度和厚度对InP/InGaAs/InPDHBT集电结导带有效势垒高度和I-V特性的影响.结果表明,当n+-InP插入层掺杂浓度为3×1019cm-3、厚度为3nm时,可以获得较好的器件特性.采用气态源分子束外延(GSMBE)技术成功地生长出InP/InGaAs/InPDHBT结构材料.器件研制结果表明,所设计的DHBT材料结构能有效降低集电结的导带势垒尖峰,显著改善器件的输出特性.

主 题 词：InP/InGaAs 异质结双极晶体管 复合集电区 掺杂 势垒尖峰 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.08.019

馆 藏 号：203924715...