多芯片并联压接式IGBT中压力不均对电流分布的影响分析

作     者：邓真宇 陈民铀 赖伟 李辉 王晓 李金元 杜耀婷 

作者机构：重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室重庆 全球能源互联网研究院北京 国网重庆市电力公司南岸供电分公司重庆 

出 版 物：《智能电网（汉斯）》 (Smart Grid)

年 卷 期：2020年第10卷第3期

页      码：67-73页

摘      要：压接式IGBT器件作为柔直输电换流装备的核心元件,在长时间尺度下因制造工艺、器件老化等因素,器件内部出现压力分布不均的现象,进而造成并联子模块间电流分布不均,使部分子模块可靠性降低,老化加快。为研究压接式IGBT中压力差异与电流分布不均匀程度间的关系,本文分析了压力分布导致器件内部模块并联不均流的原因;并开展不同压力差异下的并联实验,获得了不同压力差异下的电流分布数据。通过对实验结果的分析,明确了压力差异与电流分布差异之间的关系,为探究压接式IGBT的优化设计及老化失效演变提供参考。

主 题 词：压接式IGBT 压力不均 并联不均流 电流分布 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.12677/SG.2020.103008

馆 藏 号：203925070...