真空区熔硅单晶生长技术研究

作     者：张殿朝 闫萍 索开南 庞炳远 

作者机构：中国电子科技集团公司第46研究所天津300220 

出 版 物：《天津科技》 (Tianjin Science & Technology)

年 卷 期：2010年第37卷第2期

页      码：4-5页

摘      要：对φ30mm、晶向真空区熔硅单晶生长关键技术特点进行了分析,针对单晶生长过程中容易发生晶变的问题,从熔区受力、热场设计、结晶动力学等方面进行研究,理论联系实践,优化工艺参数,对如何提高熔区稳定性及结晶驱动力,提出了有效的解决措施,提高了真空区熔硅单晶的成品率。

主 题 词：〈111〉晶向 真空单晶 成晶率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1006-8945.2010.02.002

馆 藏 号：203926727...