考虑背栅偏置的FOI FinFET电流模型

作     者：张峰源 刘凡宇 李博 李彬鸿 张旭 罗家俊 韩郑生 张青竹 Zhang Fengyuan;Liu Fanyu;Li Bo;Li Binhong;Zhang Xu;Luo Jiajun;Han Zhengsheng;Zhang Qingzhu

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学电子电气与通信工程学院北京100049 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61874135 11905287) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2020年第45卷第6期

页      码：438-443页

摘      要：建立了绝缘体上鳍(FOI)鳍式场效应晶体管(FinFET)的电流模型,通过推导出背栅对前栅的耦合系数,使电流模型可以预测背栅电压对沟道电流的影响。该模型可以较为精准地预测实验数据和TCAD仿真结果,并且对于FOI FinFET的鳍宽和侧壁倾斜角等几何参数有较宽的适用范围。通过提取耦合系数,证明了背栅对前栅的耦合效应将随着鳍宽和侧壁倾角的增大而增强,而鳍底部的夹角对沟道的影响可以忽略。所提出的模型可以用于建立BSIM模型,指导设计者优化器件性能,以及进行背栅偏置的低功耗集成电路设计。

主 题 词：绝缘体上鳍(FOI) 鳍式场效应晶体管(FinFET) 电流模型 背栅偏置 耦合效应 耦合系数 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.06.005

馆 藏 号：203927009...