辐射加固SOI工艺FPGA的设计与验证

作     者：吴利华 韩小炜 赵岩 于芳 刘忠立 WU Li-hua;HAN Xiao-wei;ZHAO Yan;YU Fang;LIU Zhong-li

作者机构：中国科学院微电子研究所北京100029 

出 版 物：《信息与电子工程》 (information and electronic engineering)

年 卷 期：2012年第10卷第5期

页      码：627-632页

摘      要：进行了一款辐射加固SRAM基VS1000 FPGA的设计与验证。该芯片包含196个逻辑模块、56个IO模块、若干布线通道模块及编程电路模块等。每个逻辑模块由2个基于多模式4输入查找表的逻辑单元组成,相对传统的4输入查找表,其逻辑密度可以提高12%;采用编程点直接寻址的编程电路,为FPGA提供了灵活的部分配置功能;通过对编程点的完全体接触提高了全芯片的抗辐射能力。VS1000 FPGA基于中电集团第58所0.5μm部分耗尽SOI工艺进行辐射加固设计并流片,样片的辐照试验表明,其抗总剂量水平达到1.0×105rad(Si),瞬态剂量率水平超过1.5×1011rad(Si)/s,抗中子注量水平超过1.0×1014n/cm2。

主 题 词：辐射加固 现场可编程逻辑门阵列 逻辑单元 部分配置 部分耗尽SOI 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203927107...