双端口2.5μm硅栅CMOS静态RAM(L68HC34)的工艺研究

作     者：郭玉璞 

作者机构：电子工业部东北微电子研究所沈阳110032 

出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)

年 卷 期：1997年第18卷第2期

页      码：13-16页

摘      要：介绍了双端口2．5μm硅栅CMOS静态RAM（L68HC34）的研制过程、工艺设计和工艺控制；分析了控制VT及降低R多的各种方法；并阐述了对发展IC的重要意义。

主 题 词：SRAM 单晶硅 多晶硅 硅栅 掺杂 IC CMOS 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203932482...