稀土掺杂无机化合物的电子结构及应用

作     者：王淑欣 宋振 刘泉林 Wang Shuxin;Song Zhen;Liu Quanlin

作者机构：北京科技大学材料科学与工程学院北京100083 

基　　金：国家自然科学基金委基金项目(51672027和51832005)资助 

出 版 物：《中国稀土学报》 (Journal of the Chinese Society of Rare Earths)

年 卷 期：2020年第38卷第3期

页      码：383-396,I0003页

摘      要：稀土掺杂无机化合物具有重要的应用,其电子结构决定了该类材料的光学性能。目前电子结构图(HRBE和VRBE图)提供了二价、三价稀土离子的4f, 5d各能级的相对位置和相对于基质化合物导带底和价带顶的能量位置,以及它们相对于真空的能量位置。研究人员可以根据一种稀土离子(例如Eu^2+和Eu^3+)的光谱数据预测和给出14种稀土离子的4f和5d能级的HRBE和VRBE电子结构图;进一步可以预测稀土离子在化合物中的稳定价态。另外,电子结构图为理解、预测、设计和调控无机发光材料的激发/发射光谱位置、热猝灭特性、余辉性能以及闪烁性能提供重要科学依据。本文综述了电子结构图的构筑方法,并总结了其在设计和调控发光材料性能等方面的应用。

主 题 词：稀土离子 无机发光材料 电子结构 设计调控 材料性能 

学科分类：0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.11785/S1000-4343.20200308

馆 藏 号：203934617...