医用加速器270°偏转系统中边缘场对电子轨迹的影响

作     者：吴频 李泉凤 WUPin;LIQuanfeng

作者机构：清华大学工程物理系北京100084 

基　　金：国家"九五"科技攻关项目!(96 - 90 5 - 0 1- 0 3) 

出 版 物：《清华大学学报（自然科学版）》 (Journal of Tsinghua University(Science and Technology))

年 卷 期：2000年第40卷第10期

页      码：24-27页

摘      要：针对在高能医用驻波直线加速器 2 70°偏转磁铁系统的理论设计过程中 ,使用等效边界方法忽略了边缘场影响的问题 ,按照 EFF(Extended Fringing Field)理论计算所得结果重新校正原来设计的电子轨迹 ,并采用粒子跟踪的模拟方法 ,模拟电子在 2 70°偏转系统中的偏转过程 ,将模拟结果与 EFF理论计算结果进行比较 ,分析指出在 2 70°偏转磁铁系统中加磁屏蔽的意义 ,从而从理论上指导 2 70°偏转磁铁系统的安装 ,即将靶从原安装位置处向左调整 5 mm。

主 题 词：边缘场 电子轨迹 医用加速器 粒子跟踪 

学科分类：0831[工学-公安技术类] 1004[医学-公共卫生预防医学类] 08[工学] 10[医学] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1000-0054.2000.10.007

馆 藏 号：203934865...