Dependence of Spin-orbit Parameters in AlxGa1-xN/GaN Quantum Wells on the Al Composition of the Barrier

作     者：Li Ming 

作者机构：College of Electrical and Information Engineering Xuchang University Xuchang 461000 China 

出 版 物：《Communications in Theoretical Physics》 (理论物理通讯（英文版）)

年 卷 期：2013年第60卷第7期

页      码：119-123页

摘      要：在这份报纸，我们获得可观的纺纱轨道(那么) 在 AlxGa1 的参数 ? 有表搬运人集中 N = 的 xN/GaN 量井(QW ) 120 1011/cm2。与增加障碍，整个的 SO 参数增加，和二个学生的艾尔内容(x) ，贡献被发现是信封函数的扩大区域和井的极化的电场的增加的减少。与为开始的二 subbands 的 Rashba 参数相比， intersubband 参数因此小一些并且与 x 更慢慢地变化。结果显示 SO 参数，特别 Rashba 参数能被障碍的艾尔作文设计，它可能对 III 氮化物低维的 heterostructures 的旋转操作有用。

主 题 词：轨道参数 Al含量 量子阱 自旋 组成 载流子浓度 包络函数 异质结构 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0704[理学-天文学类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.1088/0253-6102/60/1/17

馆 藏 号：203935021...