基于VO_2相变的光控太赫兹调制器

作     者：李伟 谷文浩 李吉宁 常胜江 莫漫漫 文岐业 王湘辉 林列 

作者机构：南开大学现代光学研究所天津300071 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 

基　　金：国家重点基础研究发展计划(2014CB339800) 国家高技术研究发展计划(2011AA010205) 国家自然科学基金重大项目(61171027和61131005) 教育部科学技术研究重点(重大)项目(313013) 国家教育部新世纪人才支持计划(NCET-11-0068)资助项目 

出 版 物：《光电子．激光》 (Journal of Optoelectronics·Laser)

年 卷 期：2014年第25卷第7期

页      码：1248-1253页

摘      要：基于VO2薄膜相变特性,通过在石英基底上制备VO2薄膜和亚波长金孔阵列,并在理论和实验上研究了金属孔阵列与VO2薄膜置于基底同侧和异侧的两种太赫兹(THz)调制器。系统研究了在光泵浦条件下两种样品的THz波的传输特性。结果表明,随着泵浦光功率的改变,两种结构的器件均可以实现对THz波强度的调制。对比分析两种结构器件的THz透射谱发现,紧邻金属孔阵列的金属相VO2能够有效地抑制THz表面等离子体的局域透射增强效应,使调制器的调制深度得到显著增强,这对基于相变材料调制器的设计具有重要意义。

主 题 词：太赫兹(THz)波 调制器 VO2薄膜 绝缘体-金属相变 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

核心收录：

D　O　I：10.16136/j.joel.2014.07.016

馆 藏 号：203935625...