PSS侧壁弧度优化及对GaN基LED出光效率的影响

作     者：付星星 刘扬 张国义 Fu Xingxing;Liu Yang;Zhang Guoyi

作者机构：中山大学电子与信息工程学院广州510275 东莞市中镓半导体科技有限公司广东东莞523500 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61327801) 工业和信息化部电子信息产业发展基金资助项目(工业和信息化部财472号) 广东省自然科学基金资助项目(2015A030312011) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2016年第53卷第5期

页      码：321-325页

摘      要：为进一步提高基于图形化蓝宝石衬底(PSS)技术的氮化镓(GaN)基LED的出光效率,针对PSS微结构的侧壁弧度进行了优化设计。研究实验采用感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,通过优化三氟甲烷(CHF3)和三氯化硼(BCl3)气体体积流量比,实现了对微结构侧壁弧度的有效调控。此外,对各种类型GaN基LED芯片的光学特性进行了测试表征,并结合蒙特卡罗光线追迹方法模拟了PSS微结构的侧壁弧度变化对LED轴向、侧面和总出光效率的影响。实验和理论模拟结果表明,微结构的侧壁弧度对LED出光效率有显著影响,当微结构侧壁中心到内接圆锥侧壁中心的距离为(150±10)nm时,LED的出光效率将进一步提高8.9%。

主 题 词：图形化蓝宝石衬底(PSS) 侧壁 氮化镓(GaN) 发光二极管(LED) 出光效率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0803[工学-仪器类] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2016.05.008

馆 藏 号：203936296...