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一个基于稳态视觉诱发电位的两步脑拼写系统的设计与实现

一个基于稳态视觉诱发电位的两步脑拼写系统的设计与实现

作     者:龚华云 魏庆国 李茂全 GONG Huayun;WEI Qingguo;LI Maoquan

作者机构:南昌大学电子信息工程系江西南昌330031 

基  金:国家自然科学基金项目(61365013) 江西省科技厅科技支撑计划项目(20132BBE50050 20151BBE50067) 江西省教育厅科技项目(GJJ13054) 

出 版 物:《南昌大学学报(理科版)》 (Journal of Nanchang University(Natural Science))

年 卷 期:2015年第39卷第6期

页      码:544-551页

摘      要:基于稳态视觉诱发电位(steady-state visual evoked potentials,SSVEP)的脑拼写系统在脑机接口(braincomputer interface,BCI)研究领域引起了极大的关注。然而,现存的基于SSVEP的拼写器的性能需要改进,特别是在输入精度和响应速度两个方面。基于16个发光二极管(LED)的视觉刺激,通过提取频率信息设计和实现了一个两步输入的脑拼写器。这个拼写器允许用户输入31个字符和3个功能命令。每个字符输入需要最多两个目标选择,而3个功能键只需要一个选择。7个受试者参加了一个在线实验,他们都成功地完成了字符、单词和一个句子的输入任务。平均的拼写精度、每分钟输入字符数和信息传输率分别为95.8%、7字符/分钟和27.2比特/分钟。结果表明,与现有的脑拼写器相比,就拼写精度和拼写速度而言这个系统具有高的拼写性能。

主 题 词:脑机接口 稳态视觉诱发电位 脑拼写系统 LED刺激器 典型相关分析 

学科分类:1305[艺术学-设计学类] 13[艺术学] 08[工学] 081104[081104] 0804[工学-材料学] 081101[081101] 0811[工学-水利类] 

D O I:10.13764/j.cnki.ncdl.2015.06.007

馆 藏 号:203936327...

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