功率VDMOS器件的ESD瞬态模型

作     者：李泽宏 周春华 胡永贵 刘勇 张波 徐世六 Li Zehong;Zhou Chunhua;Hu Yonggui;Liu Yong;Zhang Bo;Xu Shiliu

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室成都610054 中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室研究基金资助项目(批准号:9140C0904070705) 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2008年第29卷第10期

页      码：2014-2017页

摘      要：基于对功率VDMOS器件ESD保护及初始条件的分析,建立了VDMOS器件的ESD保护等效电路,分析了ESD响应过程,得到功率VDMOS器件的ESD瞬态模型.分析结果表明,该模型准确地描述了功率VDMOS器件的ESD瞬态放电过程,解决了以往模型中初始条件分析不足等问题.借助该模型,获得ESD器件的等效电阻和击穿电压、VDMOS的栅极输入电阻、栅源电容、栅氧厚度等与功率VDMOS器件抗ESD能力的关系,为功率VDMOS器件的抗ESD保护设计提供重要指导.

主 题 词：VDMOS ESD 等效电路 初始条件 瞬态模型 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.10.031

馆 藏 号：203940044...