考虑场板边缘效应的SOI-pLDMOS表面电场模型及器件优化设计

作     者：叶然 张春伟 刘斯扬 孙伟锋 Ye Ran;Zhang Chunwei;Liu Siyang;Sun Weifeng

作者机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心南京210096 

基　　金：港澳台科技合作专项资助项目(2014DFH10190) 江苏省青蓝工程资助项目 东南大学研究生科研基金资助项目(YBPY1403) 

出 版 物：《东南大学学报（自然科学版）》 (Journal of Southeast University：Natural Science Edition)

年 卷 期：2015年第45卷第2期

页      码：214-218页

摘      要：针对带有栅极场板的绝缘体上硅p型横向双扩散场效应晶体管(SOI-p LDMOS),提出了一种新型表面电场解析模型.相比于传统模型,该模型充分考虑了场板边缘效应对电场分布的影响,验证结果显示新模型能更好地符合Medici数值仿真结果.此外,基于所建立的器件表面电场模型,研究了栅极场板长度(包括多晶硅场板和金属场板)及漂移区掺杂浓度对器件表面电场分布和击穿特性的影响,进而对SOI-p LDMOS进行了优化设计.流片测试表明,所建立的新型表面电场解析模型能够很好地指导器件参数设计,实现了器件耐压和导通电阻的最佳折中.

主 题 词：解析模型 表面电场 SOI-pLDMOS 边缘效应 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1001-0505.2015.02.003

馆 藏 号：203940302...