势阱势垒宽度对GaAs/AlGaAs对称DBS RTD NDR特性的影响

作     者：孟晓 张海鹏 林弥 余育新 宁祥 吕伟锋 李阜骄 王利丹 余厉阳 王彬 MENG Xiao;ZHANG Haipeng;LIN Mi;YU Yuxin;NING Xiang;LV Weifeng;LI Fujiao;WANG Lidan;YU Liyang;WANG Bin

作者机构：杭州电子科技大学电子信息学院杭州310018 

基　　金：国家自然科学基金(61302009) 浙江省研究生科研创新基金(2014KYJJ026) 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2015年第15卷第3期

页      码：38-43页

摘      要：目前共振隧穿二极管(RTD)多值逻辑电路研究采用多个MOSFETs组合,以逼近RTD特性,这是现有逻辑功能验证的不足。针对该问题,通过建立对称双势垒RTD电子输运的解析模型,进而采用SILVACO TCAD对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD器件的电学特性进行仿真实验研究。根据仿真实验的结果分析总结了势阱和势垒宽度对Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD负阻特性影响的规律,并根据MVL电路设计应用的低压、低功耗、适当峰谷电流比和工艺可实现性等要求,通过大量的仿真优化实验提出采用Ga As/Al Ga As基对称DBS RTD实现多值逻辑电路设计所需的对称DBS RTD器件设计参数窗口。

主 题 词：共振隧穿二极管 GaAs/AlGaAs 对称双势垒 势阱宽度 势垒宽度 负阻特性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2015.0032

馆 藏 号：203940347...