长波长垂直腔面发射激光器(英文)

作     者：Yan Chang-ling Ning Yong-qiang Qin Li Liu Yun Wang Qing Zhao Lu-min Sun Yan-fang Jin Zhen-hua Tao Ge-tao Wang Chao Liu Jun Wang Lijun Zhong Jingchang 

作者机构：Laboratory of Excited State ProcessesChinese Academy of SciencesChangchun Institute of OpticsFine Mechanics and PhysicsChinese Academy of SciencesChangchun 130033China Changchun University of Science and TechnologyState Key Lab of High Power Semiconductor LaserChangchun 130022China 

出 版 物：《光机电信息》 (OME Information)

年 卷 期：2004年第21卷第4期

页      码：1-12页

摘      要：给出了长波长垂直腔面发射激光器的器件结构的发展现状,同时对GaInNAs/GaAs垂直腔面发射激光器进行了详细的介绍。最后,给出了所设计的新型1.3μmGaInNAs/GaAs长波长垂直外腔面发射半导体激光器的结构设计,有源区量子阱由980nm半导体激光二极管进行泵浦。这种器件设计实现了激光二极管泵浦与长波长垂直腔面发射激光器的有机结合,同时具有两者的优点。此外,本文还对器件的阈值特性和光输出功率进行了理论计算。

主 题 词：长波长 垂直腔面 激光器 结构设计 激光二极管 阈值 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0803[工学-仪器类] 

馆 藏 号：203940542...