英飞凌将与松下电器联袂,双双推出常闭型600V GaN功率器件

出 版 物：《电子设计工程》 (Electronic Design Engineering)

年 卷 期：2015年第23卷第7期

页      码：81-81页

摘      要：英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）硅基板氮化镓（GaN）晶体管结构,与英飞凌的表贴（SMD）封装的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能GaN器件。

主 题 词：英飞凌 松下电器 GaN 常闭式 氮化镓 联合开发 强型 基板 电子产品 高端消费 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203940620...